CMOS傳感器技術(shù)發(fā)展

CMOS（Complementary Metal－Oxide－Semiconductor），中文學(xué)名為互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，它本是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)內(nèi)一種重要的芯片，保存了系統(tǒng)引導(dǎo)最基本的資料。

CMOS的制造技術(shù)和一般計(jì)算機(jī)芯片是差不多的，主要是利用硅和鍺這兩種元素所做成的半導(dǎo)體，使其在CMOS上共存著帶N（帶－電） 和 P（帶＋電）級(jí)的半導(dǎo)體，這兩個(gè)互補(bǔ)效應(yīng)所產(chǎn)生的電流即可被處理芯片記錄和解讀成影像。

 后來我們發(fā)現(xiàn)CMOS經(jīng)過進(jìn)行加工也可以發(fā)展作為一個(gè)數(shù)碼攝影中的圖像信息傳感器，按像素結(jié)構(gòu)，CMOS傳感器技術(shù)可分為被動(dòng)式與主動(dòng)式兩種。

被動(dòng)式

 被動(dòng)式像素結(jié)構(gòu)（Passive Pixel Sensor．簡(jiǎn)稱PPS），又叫無源式。它由一個(gè)反向偏置的光敏二極管和一個(gè)開關(guān)管構(gòu)成。光敏二極管本質(zhì)上是一個(gè)由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體組成的PN結(jié)，它可等效為一個(gè)反向偏置的二極管和一個(gè)MOS電容并聯(lián)。當(dāng)開關(guān)管開啟時(shí)，光敏二極管與垂直的列線（Column bus）連通。位于列線末端的電荷積分放大器讀出電路（Charge integrating amplifier）保持列線電壓為一常數(shù)，當(dāng)光敏二極管存貯的信號(hào)電荷被讀出時(shí)，其電壓被復(fù)位到列線電壓水平，與此同時(shí)，與光信號(hào)成正比的電荷由電荷積分放大器轉(zhuǎn)換為電荷輸出。

主動(dòng)式

 主動(dòng)式像素結(jié)構(gòu)（Active Pixel Sensor．簡(jiǎn)稱APS），又叫有源式，幾乎在CMOS PPS像素結(jié)構(gòu)發(fā)明的同時(shí)，人們很快認(rèn)識(shí)到在像素內(nèi)引入緩沖器或放大器可以改善像素的性能，在CMOS APS中每一像素內(nèi)都有自己的放大器。集成在表面的放大晶體管減少了像素元件的有效表面積，降低了“封裝密度”，使40％～50％的入射光被反射。這種傳感器的另一個(gè)問題是，如何使傳感器的多通道放大器之間有較好的匹配，這可以通過降低殘余水平的固定圖形噪聲較好地實(shí)現(xiàn)。由于CMOS APS像素內(nèi)的每個(gè)放大器僅在此讀出期間被激發(fā)，因此CMOS APS的功耗比CCD圖像傳感器的還小。

未來發(fā)展及應(yīng)用

 21世紀(jì)初，全球CMOS圖像傳感器市場(chǎng)在PC攝像機(jī)、移動(dòng)通信市場(chǎng)、數(shù)碼相機(jī)、攝像機(jī)通過市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)市場(chǎng)等領(lǐng)域可以獲得一個(gè)大幅度提高增長(zhǎng)，在未來的幾年工作時(shí)間內(nèi)，在130 萬像素至200萬像素之下的產(chǎn)品中，將開始以CMOS傳感器為主流。基于小體積、低功耗 cmos 圖像傳感器的攝像機(jī)正成為消費(fèi)類產(chǎn)品的主流，將給圖像傳感器市場(chǎng)帶來巨大的發(fā)展。